絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT）是什么（絕緣柵雙極型晶體管優點）
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IGBT是絕緣柵雙極晶體管的英文Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。
IGBT是絕緣柵雙極型功率管，是由BJIT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件。被應用于交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT）的由來
電力晶體管（GTR ）屬于雙極型電流驅動器件，其優點是通流能力很強，但不足之處是開關速度相對低，驅動功率大，驅動電路復雜，而 MOSFET 是單極型電壓驅動器件，其優點是開關速度快，輸入阻抗高，所需驅動功率小，而且驅動電路簡單；缺點是導通壓降大。
于是有人提出將這兩類器件的優點，即 GTR 的低導通壓降與 MOSFET 的高輸入阻抗結合起來,制成復合型器件，通常稱為 Bi MOS 器件，即絕緣柵雙極型晶體管（ Insulate Gate Bipolar Transistor IGBT ）。
IGBT的電氣符號
IGBT硅片的結構與功率MOSFET的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩沖層（NPT-非寄通-IGBT技術沒有增加這個部分）。如等效電路圖所示（圖1），其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和N+區之間創建了一個1結。
IGBT它綜合了 GTR 和 MOSFET 的優點，因而具有低導通壓降和高輸入阻抗的綜合優點。它自投入市場以來，應用領域現已成為中、大功率電力電子設備的主導器件。當前 IGBT 即應用水平已達到： 2500 6500V 600 2500A 。
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